精密时钟核心,美国SiTime晶振赋能车载高速电子时代在智能汽车与高速电子技术飞速迭代的当下,电子系统的精准运行、稳定传输离不开核心时钟器件的支撑.CS00118 AEC-Q100超低抖动差动振荡器,作为专为高可靠性场景研发的精密器件,凭借极致的性能参数、宽泛的适配能力与严苛的车规品质,成为车载高端电子设备与高精度电子产品的核心基石,为现代智能硬件稳定运行保驾护航.

严苛的车规认证与宽温适配,是这款振荡器进口晶振最核心的品质优势.它严格遵循AEC-Q100车规标准,基础二级温度范围覆盖-40°C至105°C,同时兼容三级、四级规格,完美适配汽车复杂多变的工作环境.汽车行驶中,机舱、户外设备会面临极寒、高温、温差骤变的工况,普通电子器件极易出现性能衰减、信号偏差,而CS00118振荡器凭借强悍的宽温稳定性,能够在极端温度环境中持续稳定工作,杜绝温度波动带来的运行故障,充分满足汽车电子高可靠、高耐受的严苛要求.

CS00118AE-4B1-33E156.250000H,AEC-Q10车规级晶振,CS00118超低抖动差动振荡器

极致的精度与超低抖动性能,赋予了器件高端适配能力.在核心性能参数上,汽车电子晶振该振荡器实现了行业顶尖水准,随机相位抖动低至0.23 ps RMS,在12kHz至20MHz频段内信号波动极小,从根源上减少高速数据传输的误差与干扰.其频率覆盖1MHz至220MHz,精度可达小数点后六位,精准匹配各类高精度电子设备的时钟需求,220MHz至725MHz的高频场景也可通过同系列SiT9387器件无缝衔接.同时,它兼容LVPECL、LVDS、HCSL三种主流输出信令类型,适配市面上绝大多数高速电路架构,兼容性极强.

稳定的性能与标准化设计,智能手机晶振让器件兼具实用性与通用性.该振荡器频率稳定性低至±10 ppm,长期运行不易出现频率偏移,保障电子系统持续精准工作.封装设计贴合行业通用标准,涵盖3.2×2.5mm、7.0×5.0mm主流规格,5.0×3.2mm定制封装可按需适配,小巧多元的封装形式,既能节省设备空间,也便于批量集成与量产应用,适配各类轻量化、集成化的硬件设计.

CS00118AE-4B1-33E156.250000H,AEC-Q10车规级晶振,CS00118超低抖动差动振荡器

依托全方位的性能优势,CS00118振荡器广泛应用于高可靠性电子产品领域,尤其深耕车载高端场景.安防GPS导航晶振无论是车载信息娱乐系统的高清影音传输,还是碰撞检测设备的精准信号采集,亦或是车载10/40/100 Gbps高速以太网的稳定数据交互,它都能提供精准时钟支撑,保障车载智能系统快速、稳定、安全运行.

小小的振荡器,是电子设备的“时钟心脏”.CS00118以严苛车规、超低抖动、超高精度、广泛适配的核心优势,破解了高速电子设备信号不稳、精度不足、环境耐受差的难题,石英晶振为智能汽车与高端电子产业的升级发展,筑牢了精密硬件根基.

SiTime编程晶振编码料号	SiTime硅晶振参数	电压	频率PPM	工作温度	脚位	尺寸	制造商	系列	输出
SIT8103AI-23-33E-100.00000X	MEMS OSC XO 100.0000MHZ LVCMOS	3.3V	±50ppm	-40°C ~ 85°C	4	3225	SiTime	SiT8103	LVCMOS，LVTTL
SIT8103AC-23-18E-33.33333X	MEMS OSC XO 33.33333MHZ LVCMOS	1.8V	±50ppm	-20°C ~ 70°C	4	3225	SiTime	SiT8103	LVCMOS，LVTTL
SIT9003AC-23-33DQ-12.0000Y	MEMS OSC XO 12.0000MHZ LVCMOS LV	3.3V	±50ppm	-20°C ~ 70°C	4	3225	SiTime	SiT9003	LVCMOS，LVTTL
SIT8008BC-22-33E-19.440000	MEMS OSC XO 19.4400MHZ HCMOS SMD	3.3V	±25ppm	-20°C ~ 70°C	4	3225	SiTime	SiT8008B	HCMOS，LVCMOS
SIT5000AI-2E-18N0-19.200000Y	MEMS OSC XO 19.2000MHZ LVCMOS	1.8V	±5ppm	-40°C ~ 85°C	4	3225	SiTime	SiT5000	LVCMOS
SIT8103AC-21-28E-26.00000X	MEMS OSC XO 26.0000MHZ LVCMOS LV	2.8V	±20ppm	-20°C ~ 70°C	4	3225	SiTime	SiT8103	LVCMOS，LVTTL
SIT9003AC-24-33EO-90.00000Y	MEMS OSC XO 90.0000MHZ LVCMOS LV	3.3V	±100ppm	-20°C ~ 70°C	4	3225	SiTime	SiT9003	LVCMOS，LVTTL
SIT8103AC-23-33E-30.00000T	MEMS OSC XO 30.0000MHZ LVCMOS LV	3.3V	±50ppm	-20°C ~ 70°C	4	3225	SiTime	SiT8103	LVCMOS，LVTTL
SIT9005AI-21-18EH40.000000	MEMS OSC XO 40.0000MHZ LVCMOS	1.8V	±20ppm	-40°C ~ 85°C	4	3225	SiTime	SiT9005	LVCMOS
SIT9005AI-21-33EH37.125000	MEMS OSC XO 37.1250MHZ LVCMOS	3.3V	±20ppm	-40°C ~ 85°C	4	3225	SiTime	SiT9005	LVCMOS
SIT9005AI-21-33ED40.000000	MEMS OSC XO 40.0000MHZ LVCMOS	3.3V	±20ppm	-40°C ~ 85°C	4	3225	SiTime	SiT9005	LVCMOS
SIT9005AI-21-18ED40.000000	MEMS OSC XO 40.0000MHZ LVCMOS	1.8V	±20ppm	-40°C ~ 85°C	4	3225	SiTime	SiT9005	LVCMOS
SIT9005AI-21-33ED37.125000	MEMS OSC XO 37.1250MHZ LVCMOS	3.3V	±20ppm	-40°C ~ 85°C	4	3225	SiTime	SiT9005	LVCMOS
SIT8208AI-2F-33E-27.000000Y	MEMS OSC XO 27.0000MHZ LVCMOS LV	3.3V	±10ppm	-40°C ~ 85°C	4	3225	SiTime	SiT8208	LVCMOS，LVTTL
SIT8103AI-23-18E-33.33300X	MEMS OSC XO 33.3330MHZ LVCMOS LV	1.8V	±50ppm	-40°C ~ 85°C	4	3225	SiTime	SiT8103	LVCMOS，LVTTL
SIT8103AI-22-33E-4.00000X	MEMS OSC XO 4.0000MHZ LVCM LVTTL	3.3V	±25ppm	-40°C ~ 85°C	4	3225	SiTime	SiT8103	LVCMOS，LVTTL
SIT8103AI-23-33E-16.00000X	MEMS OSC XO 16.0000MHZ LVCMOS LV	3.3V	±50ppm	-40°C ~ 85°C	4	3225	SiTime	SiT8103	LVCMOS，LVTTL
SIT8008BC-23-33E-26.000000	MEMS OSC XO 26.0000MHZ HCMOS	3.3V	±50ppm	-20°C ~ 70°C	4	3225	SiTime	SiT8008B	HCMOS，LVCMOS
SIT8008BC-23-33E-31.330000	MEMS OSC XO 31.3300MHZ H/LV-CMOS	3.3V	±50ppm	-20°C ~ 70°C	4	3225	SiTime	SiT8008B	HCMOS，LVCMOS
SIT8008BC-23-33E-38.152945	MEMS OSC XO 38.152945MHZ H/LV-CM	3.3V	±50ppm	-20°C ~ 70°C	4	3225	SiTime	SiT8008B	HCMOS，LVCMOS
SIT8008BC-23-33E-46.977848	MEMS OSC XO 46.977848MHZ H/LV-CM	3.3V	±50ppm	-20°C ~ 70°C	4	3225	SiTime	SiT8008B	HCMOS，LVCMOS
SIT8008BC-23-33E-24.500000	MEMS OSC XO 24.5000MHZ H/LV-CMOS	3.3V	±50ppm	-20°C ~ 70°C	4	3225	SiTime	SiT8008B	HCMOS，LVCMOS
SIT8008BC-23-33E-41.208000	MEMS OSC XO 41.2080MHZ H/LV-CMOS	3.3V	±50ppm	-20°C ~ 70°C	4	3225	SiTime	SiT8008B	HCMOS，LVCMOS
SIT8008BC-23-33E-48.900000	MEMS OSC XO 48.9000MHZ H/LV-CMOS	3.3V	±50ppm	-20°C ~ 70°C	4	3225	SiTime	SiT8008B	HCMOS，LVCMOS
SIT8008BC-23-33E-14.318181	MEMS OSC XO 14.318181MHZ H/LV-CM	3.3V	±50ppm	-20°C ~ 70°C	4	3225	SiTime	SiT8008B	HCMOS，LVCMOS
SIT8008BC-23-33E-48.000000	MEMS OSC XO 48.0000MHZ H/LV-CMOS	3.3V	±50ppm	-20°C ~ 70°C	4	3225	SiTime	SiT8008B	HCMOS，LVCMOS
SIT8008BC-23-33E-4.000000	MEMS OSC XO 4.0000MHZ H/LV-CMOS	3.3V	±50ppm	-20°C ~ 70°C	4	3225	SiTime	SiT8008B	HCMOS，LVCMOS
SIT8008BC-23-33E-34.000000	MEMS OSC XO 34.0000MHZ H/LV-CMOS	3.3V	±50ppm	-20°C ~ 70°C	4	3225	SiTime	SiT8008B	HCMOS，LVCMOS
SIT8008BC-23-33E-30.000000	MEMS OSC XO 30.0000MHZ H/LV-CMOS	3.3V	±50ppm	-20°C ~ 70°C	4	3225	SiTime	SiT8008B	HCMOS，LVCMOS
SIT8008BC-23-33E-58.632099	MEMS OSC XO 58.632099MHZ H/LV-CM	3.3V	±50ppm	-20°C ~ 70°C	4	3225	SiTime	SiT8008B	HCMOS，LVCMOS
SIT8008BC-23-33E-46.080000	MEMS OSC XO 46.0800MHZ H/LV-CMOS	3.3V	±50ppm	-20°C ~ 70°C	4	3225	SiTime	SiT8008B	HCMOS，LVCMOS
SIT8008BC-23-33E-66.600000	MEMS OSC XO 66.6000MHZ H/LV-CMOS	3.3V	±50ppm	-20°C ~ 70°C	4	3225	SiTime	SiT8008B	HCMOS，LVCMOS
SIT8008BI-23-33E-24.576000	MEMS OSC XO 24.5760MHZ H/LV-CMOS	3.3V	±50ppm	-40°C ~ 85°C	4	3225	SiTime	SiT8008B	HCMOS，LVCMOS
SIT8008BI-23-33E-16.000000	MEMS OSC XO 16.0000MHZ H/LV-CMOS	3.3V	±50ppm	-40°C ~ 85°C	4	3225	SiTime	SiT8008B	HCMOS，LVCMOS
SIT8008BI-23-XXS-20.000000	MEMS OSC XO 20.0000MHZ HCMOS SMD	2.25V ~ 3.63V	±50ppm	-40°C ~ 85°C	4	3225	SiTime	SiT8008B	HCMOS，LVCMOS
SIT8008BI-23-33E-27.000000	MEMS OSC XO 27.0000MHZ H/LV-CMOS	3.3V	±50ppm	-40°C ~ 85°C	4	3225	SiTime	SiT8008B	HCMOS，LVCMOS
SIT8008BI-23-18E-49.140000	MEMS OSC XO 49.1400MHZ H/LV-CMOS	1.8V	±50ppm	-40°C ~ 85°C	4	3225	SiTime	SiT8008B	HCMOS，LVCMOS
SIT8008BI-23-33E-9.230769	MEMS OSC XO 9.230769MHZ H/LVCMOS	3.3V	±50ppm	-40°C ~ 85°C	4	3225	SiTime	SiT8008B	HCMOS，LVCMOS
SIT1602BI-23-33N-48.000000	MEMS OSC XO 48.0000MHZ H/LV-CMOS	3.3V	±50ppm	-40°C ~ 85°C	4	3225	SiTime	SiT1602B	HCMOS，LVCMOS
SIT8008BI-23-33E-49.090900	MEMS OSC XO 49.0909MHZ H/LV-CMOS	3.3V	±50ppm	-40°C ~ 85°C	4	3225	SiTime	SiT8008B	HCMOS，LVCMOS
SIT8008BI-23-33E-24.000000G	MEMS OSC XO 24.0000MHZ H/LV-CMOS	3.3V	±50ppm	-40°C ~ 85°C	4	3225	SiTime	SiT8008B	HCMOS，LVCMOS
SIT9001AC-23-33E2-12.00000T	MEMS OSC XO 12.0000MHZ LVCMOS	3.3V	±50ppm	-20°C ~ 70°C	4	3225	SiTime	SiT9001	LVCMOS
SIT1602AI-22-33E-4.000000	MEMS OSC XO 4.0000MHZ LVCMOS SMD	3.3V	±25ppm	-40°C ~ 85°C	4	3225	SiTime	SiT1602	LVCMOS
SIT8008BI-22-33E-18.000000	MEMS OSC XO 18.0000MHZ H/LV-CMOS	3.3V	±25ppm	-40°C ~ 85°C	4	3225	SiTime	SiT8008B	HCMOS，LVCMOS
SIT8008BI-22-33S-14.318180	MEMS OSC XO 14.31818MHZ H/LVCMOS	3.3V	±25ppm	-40°C ~ 85°C	4	3225	SiTime	SiT8008B	HCMOS，LVCMOS

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