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来源:http://www.zhaoxiandz.com 作者:兆现电子 2020年09月04
Crystal激励电平真的可以反映出晶体的性能吗?
石英晶振的性能会受什么样的因素影响呢?实际上这得从两个方面来进行针对性说明;由于石英晶振大体上可分为有源晶振和无源晶振这两种类型,而石英晶性能受影响的根本原因是不一样的,无源晶振会被本身固有性能所限制,而有源晶振则是有所不同的;那么晶体的性能是通过什么进行表现呢?频率稳定度?电源电压?,激励电平真的能够反映出晶体的性能吗?
通过测量晶振的驱动电平了解其使用性能,我们可以设定驱动级别由以下公式表示,因此测量目标是RL和i. DL:驱动电平
RL:晶体单元负载下的等效电阻
i:流过晶体单元的电流值(有效值)
1、“RL:负载下晶体谐振器的等效电阻”的测量方法
<概述>使用
网络分析仪和负载电容CL jig,用于实验的晶体单元的RL通过以下测量程序确定(当NDK晶体单元安装在基板上*1时).措施.
(*1)如果板上没有安装NDK晶振单元,请准备适当的NDK晶体单元并将其用作实验晶体单元.
<测量程序>
(1)用烙铁拆下安装在电路板上的石英晶体单元.
(2)去除附着在晶体单元上的多余焊料后,等到晶体单元达到室温.
(3)石英晶体振荡器的负载电容C大号被设定为夹具(负载电容C大号容量夹具,由规范指定的负载电容C大号).
(4)负载电容C大号夹具被设置为网络分析仪中,根据网络分析器手册,晶体振荡器自身的?大号被测量.
2、“i:流过石英晶体谐振器的电流值(有效值)”的测量方法
<总结>
将实验晶体谐振器放置在基板上,并使用以下测量程序确定在指定温度条件下的峰峰值电流值.测量并将其转换为RMS值.
<测量程序>
(1)将引线连接到实验晶体单元并将其放置在基板上,电流探头穿过引线.
(2)在将石英晶体单元及其周围环境稳定在指定温度后,振荡晶体单元并使用示波器测量峰峰值电流值.
(3)将峰峰值电流值转换为有效值.正弦波AC有效值计算方法(见下文)用于转换.
I有效值:流经晶体单元的电流值(有效值)
I p-p:流经石英晶振晶体单元的电流值(峰值到峰值)
事实证明, Crystal激励电平不管是直接还是间接的,都在一定程度上反映了Crystal的性能.
石英晶振的性能会受什么样的因素影响呢?实际上这得从两个方面来进行针对性说明;由于石英晶振大体上可分为有源晶振和无源晶振这两种类型,而石英晶性能受影响的根本原因是不一样的,无源晶振会被本身固有性能所限制,而有源晶振则是有所不同的;那么晶体的性能是通过什么进行表现呢?频率稳定度?电源电压?,激励电平真的能够反映出晶体的性能吗?
通过测量晶振的驱动电平了解其使用性能,我们可以设定驱动级别由以下公式表示,因此测量目标是RL和i. DL:驱动电平
RL:晶体单元负载下的等效电阻
i:流过晶体单元的电流值(有效值)
1、“RL:负载下晶体谐振器的等效电阻”的测量方法
<概述>使用
网络分析仪和负载电容CL jig,用于实验的晶体单元的RL通过以下测量程序确定(当NDK晶体单元安装在基板上*1时).措施.
(*1)如果板上没有安装NDK晶振单元,请准备适当的NDK晶体单元并将其用作实验晶体单元.
<测量程序>
(1)用烙铁拆下安装在电路板上的石英晶体单元.
(2)去除附着在晶体单元上的多余焊料后,等到晶体单元达到室温.
(3)石英晶体振荡器的负载电容C大号被设定为夹具(负载电容C大号容量夹具,由规范指定的负载电容C大号).
(4)负载电容C大号夹具被设置为网络分析仪中,根据网络分析器手册,晶体振荡器自身的?大号被测量.
2、“i:流过石英晶体谐振器的电流值(有效值)”的测量方法
<总结>
将实验晶体谐振器放置在基板上,并使用以下测量程序确定在指定温度条件下的峰峰值电流值.测量并将其转换为RMS值.
<测量程序>
(1)将引线连接到实验晶体单元并将其放置在基板上,电流探头穿过引线.
(2)在将石英晶体单元及其周围环境稳定在指定温度后,振荡晶体单元并使用示波器测量峰峰值电流值.
(3)将峰峰值电流值转换为有效值.正弦波AC有效值计算方法(见下文)用于转换.
I p-p:流经石英晶振晶体单元的电流值(峰值到峰值)
事实证明, Crystal激励电平不管是直接还是间接的,都在一定程度上反映了Crystal的性能.
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