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                        来源:http://www.zhaoxiandz.com 作者:miko 2022年09月02
                    
                
                    爱普生公司推出节省空间的1.62-3.63V有源晶振X1G005601049500,顺应这个时代发展趋势的需求,电子产业成为了世界带给我们最美好的东西,能够让我们通过互联网去感知这个世界正在发展着怎样的变化,以及智能家居产品为我们带来哪些便捷,而这些产品的诞生与优化,其实都离不开它--晶振,在电子元器件中,又可将晶振分为无源晶振和有源晶振,它俩的区别在于哪里,想比很多人都清楚,只是我们会比较少去探究有源晶振的基准频率源这个问题,现在可详细了解一番哦。

爱普生公司推出节省空间的1.62-3.63V有源晶振X1G005601049500,石英晶体振荡器的频率稳定度可达10^-9/日,甚至10^-11。例如10MHz的振荡器,频率在一日之内的变化一般不大于0.1Hz。因此,完全可以将晶体振荡器视为恒定的基准频率源(石英表、电子表中都是利用石英晶体来做计时的基准频率)。从PC诞生至现在,主板上一直都使用一颗14.318MHz的石英晶体振荡器作为基准频率源。主板上除了这颗14.318MHz的晶振,还能找到一颗频率为32.768MHz的晶振,它被用于实时时钟(RTC)电路中,显示精确的时间和日期。
	
随着快速发展的互联网,爱普生公司快速推出了SG-8018CG晶振,编码X1G005601049500,1.62-3.63 V有源晶振,爱普生的SG-8018系列是可编程晶体振荡器系列CMOS输出。这个系列提供了频率和其他参数的可编程性,SG-8002/SG-8003系列,它们也具有更广泛的工作温度范围,最高极限为105°C。除了2.5 × 2.0 mm的封装,将使电子制造商节省板空间,该振荡器也将在以下流行的封装尺寸:3.2 × 2.5 mm, 5.0 × 3.2 mm和7.0 × 5.0 mm。SG-8018系列振荡器的频率容忍度约为66%比同类产品低50%的电流消耗,适用范围广环境条件。这也将大大有助于性能,更低的功率要求,快速开发周期和低量生产。
                
                
爱普生公司推出节省空间的1.62-3.63V有源晶振X1G005601049500,石英晶体振荡器的频率稳定度可达10^-9/日,甚至10^-11。例如10MHz的振荡器,频率在一日之内的变化一般不大于0.1Hz。因此,完全可以将晶体振荡器视为恒定的基准频率源(石英表、电子表中都是利用石英晶体来做计时的基准频率)。从PC诞生至现在,主板上一直都使用一颗14.318MHz的石英晶体振荡器作为基准频率源。主板上除了这颗14.318MHz的晶振,还能找到一颗频率为32.768MHz的晶振,它被用于实时时钟(RTC)电路中,显示精确的时间和日期。
|  Product Number |  进口晶振型号 |  进口晶振频率 |  LxWxH |  Output Wave |  Supply Voltage |  Ope Temperature |  Freq. Tol. |  I [Max] | 
| X1G005601048200 | SG-8018CG | 16.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 3.5 mA | 
| X1G005601048300 | SG-8018CG | 1.843200 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 3.5 mA | 
| X1G005601048400 | SG-8018CG | 25.000625 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 4.4 mA | 
| X1G005601048500 | SG-8018CG | 60.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 5.2 mA | 
| X1G005601048600 | SG-8018CG | 22.505000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 4.4 mA | 
| X1G005601048700 | SG-8018CG | 2.457600 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 3.5 mA | 
| X1G005601048800 | SG-8018CG | 2.048000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 3.5 mA | 
| X1G005601048900 | SG-8018CG | 10.752000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 3.5 mA | 
| X1G005601049000 | SG-8018CG | 2.048000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 3.5 mA | 
| X1G005601049100 | SG-8018CG | 62.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 5.2 mA | 
| X1G005601049200 | SG-8018CG | 13.500000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 3.5 mA | 
| X1G005601049300 | SG-8018CG | 1.544000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 3.5 mA | 
| X1G005601049400 | SG-8018CG | 23.740000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 4.4 mA | 
| X1G005601049500 | SG-8018CG | 26.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 4.4 mA | 
| X1G005601049600 | SG-8018CG | 7.372800 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 3.5 mA | 
| X1G005601049700 | SG-8018CG | 32.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 4.4 mA | 
| X1G005601049800 | SG-8018CG | 150.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 8.1 mA | 
| X1G005601049900 | SG-8018CG | 33.554432 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 4.4 mA | 
| X1G005601050000 | SG-8018CG | 66.666700 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 5.2 mA | 
| X1G005601050100 | SG-8018CG | 24.545454 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 4.4 mA | 
| X1G005601050200 | SG-8018CG | 6.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 3.5 mA | 
| X1G005601050300 | SG-8018CG | 52.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 5.2 mA | 
| X1G005601050400 | SG-8018CG | 9.050000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 3.5 mA | 
| X1G005601050500 | SG-8018CG | 66.666700 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 5.2 mA | 
| X1G005601050600 | SG-8018CG | 0.700000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 3.5 mA | 
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                    此文关键字:                    有源晶振                                    
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