爱普生有源晶振为仪器设备提供便捷X1G005581004300，爱普生晶振公司是一家非常具有创新能力的制造商，凭着自身在晶体行业几十年的经验，以及对于产品本身有着独特的见解，能够快速针对用户的需求开发出适合的晶振产品，同时为市场提供高性能的有源晶振，随之能力的增长，推出SG-8018CB晶振，编码X1G005581004300，频率26.000000兆赫，输出WaveCMOS，电源电压1.62 ~ 3.63 V，尺寸(LxWxH)5.00 x 3.20 x 1.30 mm，工作温度-40至+105°C，频率公差±50ppm，额外的OptionsN /OSC类型可编程时钟OSC，这是一款CMOS输出晶振，带电压晶振，石英晶体振荡器，具备高精度，低电压，低抖动之特点，是仪器设备，智能家居，5G模块，智能音响等应用的最佳选择。

伴随信息化社会的进程,现在石英晶振元器件已被广泛应用于各种电子设备以及家电产品之中,日趋重要. 爱普生拓优科梦（Epson — yocom）将进一步究极用精微加工发挥“石英”材料的优越性能的“QMEMS”技术,创造出更小、更高性能或全新功能的元器件;同时,融合爱普生集团的半导体与软件技术增添便于使用、能让顾客更体验到利用价值的“解决方案”.通过上述工作,我们将为社会的发展以及实现更舒畅的未来而竭诚奉献. 

Product Number	Model	Frequency	医疗电子专用晶振	Output Wave	Supply Voltage	Ope Temperature	Freq. Tol.
X1G005581002600	SG-8018CB	12.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005581002700	SG-8018CB	10.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005581002800	SG-8018CB	10.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005581002900	SG-8018CB	27.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005581003000	SG-8018CB	27.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005581003100	SG-8018CB	32.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005581003200	SG-8018CB	32.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005581003300	SG-8018CB	8.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005581003400	SG-8018CB	8.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005581003500	SG-8018CB	14.745600 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005581003600	SG-8018CB	14.745600 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005581003700	SG-8018CB	12.288000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005581003800	SG-8018CB	12.288000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005581003900	SG-8018CB	33.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005581004000	SG-8018CB	33.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005581004100	SG-8018CB	30.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005581004200	SG-8018CB	30.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005581004300	SG-8018CB	26.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005581004400	SG-8018CB	26.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005581004500	SG-8018CB	24.576000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm